سعة 1 تيرابايت فلاش NAND ذاكرة NAND ثلاثية الأبعاد وحدة التحكم RTS5766DL واجهة PCIe الجيل الثالث x4 القراءة المتسلسلة (الحد الأقصى) حتى 2400 ميجابايت/ثانية* الكتابة المتسلسلة (الحد الأقصى) حتى 1800 ميجابايت/ثانية* قراءة عشوائية 4 كيلوبايت IOPS (الحد الأقصى) حتى 200 ألف* 4 كيلوبايت من عمليات الإدخال والإخراج في الثانية (الحد الأقصى) للكتابة العشوائية حتى 150 ألف* درجة حرارة التشغيل 0 درجة مئوية - 70 درجة مئوية درجة حرارة التخزين -40 درجة مئوية - 85 درجة مئوية مقاومة الصدمات 1500 جرام/0.5 مللي ثانية متوسط ​​الوقت بين الأعطال 1,500,000 ساعة الأبعاد : 80 × 22 × 3.13 ملم وزن :9 غرام